英飞凌 Power MOSFET
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英飞凌是全球少数能够提供 n 沟道耗尽型 MOSFET 的半导体制造商之一。应用领域包括电源启动功率、过电压保护、浪涌电流限制器，离线电压基准。利用单个元件可以实现简单电流调节器。所有产品均适用于 汽车电子应用。为满足特殊要求，n 沟道耗尽型 MOSFET 可在卷轴上配备 VGS(th) 指示器。
| 型号 | 功能描述 | 电压 | 电流 | 电阻 | 封装形式 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS139IXTMA1 | n通道耗尽模式 | 250 V | 0.03 A | 30 mΩ | PG-SOT23-3 |  预览下载 |
| BSS126H6327XTSA2 | n通道耗尽模式 | 600 V | 0.007 A | 700 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSS126IXTSA1 | n通道耗尽模式 | 600 V | 0.007 A | 700 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSS159NH6327XTSA2 | n通道耗尽模式 | 60 V | 0.13 A | 8 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSS169IXTSA1 | n通道耗尽模式 | 100 V | 0.09 A | 12 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSS169H6327XTSA1 | n通道耗尽模式 | 100 V | 0.09 A | 12 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSS139H6327XTSA1 | n通道耗尽模式 | 250 V | 0.03 A | 30 mΩ | PG-SOT23-3 | 预览下载 |
| BSP135IXTMA1 | n通道耗尽模式 | 600 V | 0.02 A | 60 mΩ | PG-SOT223-4 | 预览下载 |
| BSP129H6327XTSA1 | n通道耗尽模式 | 240 V | 0.05 A | 6 mΩ | PG-SOT223-4 | 预览下载 |
| BSP149H6327XTSA1 | n通道耗尽模式 | 200 V | 0.14 A | 3.5 mΩ | PG-SOT223-4 | 预览下载 |
| BSP135H6327XTSA1 | n通道耗尽模式 | 600 V | 0.02 A | 60 mΩ | PG-SOT223-4 | 预览下载 |
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