P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子,其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言,二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通,而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。
型号 | 功能描述 | 电压 | 电流 | 电阻 | 封装形式 | 规格书 |
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SPD18P06PGBTMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -18.6 A | 0.13 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
SPD15P10PLGBTMA1 | P-通道功率MOSFET | -100 V | -15 A | 0,20 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
IPD042P03L3GATMA1 | P-通道功率MOSFET | -30 V | -70 A | 6.8 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
IPD25DP06NMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -6.5 A | 250 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
SPD08P06PGBTMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -8.8 A | 0.3 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
SPD04P10PL G | P-通道功率MOSFET | -100 V | -4.2 A | 850 mΩ | ESOP-3 | 预览下载 |
SPD09P06PLGBTMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -9.3 A | 0.25 mΩ | PG-TO252-3 | 预览下载 |
IRF9530NS | P-通道功率MOSFET | -100 V | -14 A | 0.20 mΩ | ESOP-3 | 预览下载 |
IRF4905STRLPBF | P-通道功率MOSFET | -55 V | -42 A | 20 mΩ | D2PAK | 预览下载 |
SPB80P06PGATMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -80 A | 0.023 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IRF9540NSTRLPBF | P-通道功率MOSFET | 100 V | 23 A | 117 mΩ | D2PAK | 预览下载 |
IRF9Z34NSTRLPBF | P-通道功率MOSFET | -55 V | 19 A | 0,10 mΩ | D2PAK | 预览下载 |
SPB18P06PGATMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -1.86 A | 0.13 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IRF5210STRLPBF | P-通道功率MOSFET | 100 V | -38 A | 60 mΩ | D2PAK | 预览下载 |
IRF5305STRLPBF | P-通道功率MOSFET | -55 V | -31 A | 0.06 mΩ | D2PAK | 预览下载 |
IPB720P15LMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -150 V | -41 A | 72 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IPB330P10NMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -100 V | -62 A | 33 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IPB320P10LMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -100 V | -63 A | 32 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IPB19DP10NMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -100 V | -13.8 A | 185 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |
IPB110P06LMATMA1 | P-通道功率MOSFET | -60 V | -100 A | 11 mΩ | PG-TO263-3 | 预览下载 |