此类 MOSFET 互补对不仅能提高设计效率,亦可简化产品结构。诸如 SO8、PQFN3x3 和 TSOP-6 等紧凑型封装均可用于此类 MOSFET,进而打造出成本优化型解决方案。其目标应用包括 DC-DC 转换、电机控制、电池管理以及车载充电器。
型号 | 功能描述 | 电压 | 电流 | 电阻 | 封装形式 | 规格书 |
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IRF9362TRPBF | Dual MOSFET | -30 V | -8.0 A | 32 mΩ | SO8 | ![]() |
IRF9358TRPBF | Dual MOSFET | -30 V | -9.2 A | 23.8 mΩ | SO8 | 暂无文件 |
BSG0811NDATMA1 | Dual MOSFET | 25 V | 50 A | 1.1 mΩ | PG-TISON-8 | ![]() |
BSC0923NDIATMA1 | Dual MOSFET | 30 V | 40 A | 3.7 mΩ | PG-TISON-8 | ![]() |
BSC0921NDIATMA1 | Dual MOSFET | 30 V | 40 A | 2.1 mΩ | PG-TISON-8 | ![]() |
BSC0910NDIATMA1 | Dual MOSFET | 25 V | 40 A | 1.6 mΩ | PG-TISON-8 | ![]() |
IRLHS6276TRPBF | Dual MOSFET | 20 V | 3.4 A | 62 mΩ | PG-TSDSON-6 | ![]() |
IRLHS6376TRPBF | Dual MOSFET | 30 V | 3.4 A | 82 mΩ | PG-TSDSON-6 | ![]() |
BSZ15DC02KDHXTMA1 | Dual MOSFET | 20 V | 5.1 A | 95 mΩ | PG-TSDSON-8-31 | ![]() |
BSZ215CHXTMA1 | Dual MOSFET | 20 V | 5.1 A | 95 mΩ | PG-TSDSON-8 | ![]() |
BSG0810NDIATMA1 | Dual MOSFET | 25 V | 50 A | 1.2 mΩ | PG-TISON-8 | 暂无文件 |
BSG0813NDIATMA1 | Dual MOSFET | 25 V | 50 A | 1.7 mΩ | PG-TISON-8 | ![]() |
IRF7509TRPBF | Dual MOSFET | 30 V | 21 A | 0.11 mΩ | MICRO8 | ![]() |
IRF7503TRPBF | Dual MOSFET | 30 V | 14 A | 0.135 mΩ | MICRO8 | ![]() |