英飞凌 Power MOSFET
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MOSFET，车规
MOSFET，车规
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MOSFETS
依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术,可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关(如IGBT和MOSFET)而言,碳化硅(SiC)功率MOSFET具有一系列优势。2000 V、1700 V、1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET产品适用于光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动器、UPS、辅助电源和开关电源等应用。
| 型号 | 功能描述 | 电压 | 电流 | 电阻 | 封装形式 | 规格书 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FF2MR12W3M1HB11BPSA1 | 碳化硅 CoolSiC MOSFETs | 1200 V | 800 A | 1.44 mΩ | AG-EASY3B |  预览下载 |
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 8.1 mΩ | AG-EASY2B | 预览下载 |
| F3L15MR12W2M1_B69 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 15 mΩ | AG-EASY2B | 预览下载 |
| F3L11MR12W2M1_B65 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 11 mΩ | AG-EASY2B | 预览下载 |
| F423MR12W1M1B11BOMA1 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 23 mΩ | AG-EASY1B | 预览下载 |
| F423MR12W1M1PB11BPSA1 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 23 mΩ | AG-EASY1B | 预览下载 |
| F415MR12W2M1B76BOMA1 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 150 A | 15 mΩ | AG-EASY2B | 预览下载 |
| F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | 碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs | 1200 V | 100 A | 11.3 mΩ | AG-EASY2B | 预览下载 |
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